
M.2 4TB Samsung 990 EVO Plus NVMe PCIe 5.0 x 2
SAMSUNG · MZ-V9S4T0BW · EAN 8806095575667
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Beschreibung
Rasant durch deinen Tag Erledige deine Aufgaben im Handumdrehen. Die 990 EVO Plus mit aktuellem NAND-Flash-Speicher bietet sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Große Dateien, schnell übertagen. Mit cooler Power durch den Tag Viel Effizienz für hohe Performance. Der nickelbeschichtete Controller erhöht die MB/s pro Watt im Vergleich zur 990 EVO um bis zu 73% und erreicht die gleiche Leistung und Wärmekontrolle bei weniger Stromverbrauch. Fokussiere dich ganz auf deine Arbeit oder dein Gaming, ohne dir Gedanken um Überhitzung oder die Akkulaufzeit machen zu müssen. Viel Platz. Viel Geschwindigkeit. Nutze die volle Leistung deines Laufwerks mit intelligentem TurboWrite 2.0. Verarbeite schnell große Datenmengen und bewältige anspruchsvolle Grafiken mit einem großen TurboWrite-Bereich, der jetzt mit einer Kapazität von bis zu 4 TB erhältlich ist. Samsung Magician Software Moderne Laufwerksverwaltung wie von Zauberhand – mit der Samsung Magician Software. Die benutzerfreundliche Software-Lösung kann dir dabei helfen, immer ein Auge auf deine SSD zu haben. Damit kannst du dein Laufwerk mit Updates auf dem neusten Stand halten, Statusparameter und Geschwindigkeit überwachen und auch die Leistungsfähigkeit anpassen. Es wird empfohlen, die Firmware deiner Samsung SSDs immer auf die neueste Version zu aktualisieren. Moderne Technologie mit Leben füllen Seit Jahrzehnten ist der Samsung NAND-Flash-Speicher ein Motor für moderne Technologien, die unser tägliches Leben verändert haben. Die NAND-Flash-Technologie treibt unsere SSDs an und schafft Raum für den nächsten Schub moderner Technologie. Leistung Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s. Damit bis zu 45% schneller als die 990 EVO. Energieeffizienz Um bis zu 73% höhere Energieeffizienz im Vergleich zur 990 EVO für mehr MB/s pro Watt bei konstanter Leistung und Wärmekontrolle. Vielseitigkeit Hohe Kapazität von bis zu 4 TB und schnelles intelligentes TurboWrite 2.0 mit vergrößertem TurboWrite-Bereich.
Technische Daten
- Höhe
- 2,2 cm
- Tiefe
- 14,0 cm
- Breite
- 9,0 cm
- Gewicht
- 0,063 kg
- Merkmale: NVMe
- Ja
- Merkmale: Speichertyp
- V-NAND TLC
- Merkmale: NVMe Version
- 2.0
- Merkmale: Schnittstelle
- PCI Express 4.0
- Energie: Arbeitsspannung
- 3,3 V
- Merkmale: SSD-Formfaktor
- M.2
- Merkmale: Komponente für
- PC
- Merkmale: M.2 SSD- Größe
- 2280 (22 x 80 mm)
- Merkmale: Lesegeschwindigkeit
- 7250 MB/s
- Merkmale: TRIM-Unterstützung
- Ja
- Gewicht und Abmessungen: Höhe
- 80,2 mm
- Gewicht und Abmessungen: Tiefe
- 2,38 mm
- Verpackungsdaten: Paketgewicht
- 70 g
- Gewicht und Abmessungen: Breite
- 80,2 mm
- Energie: Energieverbrauch (idle)
- 0,06 W
- Gewicht und Abmessungen: Gewicht
- 9 g
- Merkmale: SSD Speicherkapazität
- 4 TB
- Merkmale: Schreibgeschwindigkeit
- 6300 MB/s
- Energie: Energieverbrauch (lesen)
- 5,5 W
- Merkmale: Zufälliges Lesen (4KB)
- 1050000 IOPS
- Merkmale: Hardwareverschlüsselung
- Ja
- Verpackungsdaten: Verpackungshöhe
- 22 mm
- Verpackungsdaten: Verpackungstiefe
- 100 mm
- Merkmale: S.M.A.R.T. Unterstützung
- Ja
- Verpackungsdaten: Verpackungsbreite
- 148 mm
- Energie: Energieverbrauch (schreiben)
- 4,8 W
- Merkmale: Zufälliges Schreiben (4KB)
- 1400000 IOPS
- Betriebsbedingungen: Betriebstemperatur
- 0 - 70 °C
- Merkmale: Unterstützte Sicherheitsalgorithmen
- 256-bit AES
- Betriebsbedingungen: Stoßfestigkeit in Betrieb
- 1500 G
- Merkmale: DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung
- Ja
- Energie: Leistungsaufnahme DevSlp (Geräte Schlaf)
- 5 mW
- Merkmale: Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF)
- 1500000 h